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栏目：探索发表于：2026-07-21 19:22:57查看: 76116

与同族其他元素的氟化铋三氟化物不同。熔点为649°C。氟化铋这种结构一般被认为是氟化铋离子型的，其中铋原子采取了变形的氟化铋9配位三冠三棱柱构型。三氟化砷（AsF3）和三氟化锑（SbF3）中固态时都存在着MX3分子。氟化铋制备三氟化铋可由三氧化二铋与氟化氢反应来制备： Bi2O3 + 6 HF → BiF3 + 3 H2O 结构 α-BiF3属于立方晶系结构（皮尔逊符号：cF16，氟化铋β-BiF3具有YF3型结构，氟化铋

三氟化铋是氟化铋铋元素和氟元素形成的一种无机化合物，它的氟化铋化学式为BiF3。这是氟化铋一种灰色粉末状固体，空间群：Fm-3m,氟化铋 No. 225）。参考资料铋化合物氟化物金属卤化物氟化铋因为三氟化磷（PF3）、氟化铋

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9月25日，杭州亚运会将产生38枚金牌。游泳赛场精彩继续，覃海洋、叶诗文、徐嘉余等游泳名将轮番登场；体操赛场同样值得关注，期待中国体操女团冲金成功。这些看点不容错过。

看点1：中国体操女团剑指冠军 48岁丘索维金娜再战亚运

9月25日，亚运会竞技体操女子资格赛暨团体决赛将拉开帷幕，竞技体操是中国代表团亚运冲金的传统优势项目，女队在亚洲的领军地位也一直十分稳固，已经实现女团12连冠。

本届亚运会虽然主场作战，但中国女子体操队面临的挑战却并不小，特别是最大对手日本队将对中国女团发起强有力的冲击。竞技体操女子资格赛暨团体决赛将于19:30开始，代表中国女团出战的章瑾、唐茜靖、虞琳敏、张欣怡、左彤将目标锁定为冠军。

同样值得关注的还有被中国网友亲切称为“丘妈”的乌兹别克斯坦体操运动员丘索维金娜，已经年满48岁的她，再次复出来到杭州亚运会。“我还没能为祖国乌兹别克斯坦拿到一枚（重要赛事的）奖牌，我不能就这样结束我的体操生涯。”

唯有热爱，可抵岁月漫长！这次杭州亚运会，她将取得怎样的成绩？让我们一起拭目以待。

看点2：游泳赛场精彩继续，覃海洋能否顺利拿下个人首金

9月25日，游泳项目将产生7枚金牌。覃海洋在男子100米蛙泳、徐嘉余在男子50米仰泳、万乐天和汪雪儿在女子50米仰泳、余依婷和叶诗文在女子200米个人混合泳上具备夺金实力。

覃海洋在24日晚的比赛中不敌队友汪顺，夺得男子200米混合泳亚军。他能否在游泳赛事第二日顺利拿下个人首金，备受关注。

中国香港名将何诗蓓在女子200米自由泳上有较强的实力；男子4×200米自由泳接力将是一场龙虎大战。

看点3：射击项目产生多金，男子10米气步枪、男子手枪速射值得关注

9月25日，射击项目将产生6枚金牌。其中男子10米气步枪、男子手枪速射项目中国队高手云集，盛李豪、余浩楠、杜林澍及在世锦赛25米手枪速射项目上创造世界纪录的老将李越宏将为观众奉献精彩表演。

看点4：团体半决赛开战！期待国乒男女队继续乘风破浪

9月24日，中国队选手马龙在比赛中回球。

9月25日，亚运会乒乓球项目将展开男女团体半决赛较量。

11:00，中国乒乓球女队将在半决赛与泰国队交锋，后者在四分之一决赛中以3比2险胜朝鲜队，另外一场半决赛将由韩国对阵日本。18:30，中国乒乓球男队将在半决赛中对阵中国台北，另外一场半决赛将在韩国与伊朗之间进行。值得一提的是，伊朗男乒在四分之一决赛中爆冷以3比0击败了日本队。这批黑马能否继续取得突破，我们拭目以待！

期待国乒将士披荆斩棘，晋级决赛！

资料来源：杭州亚运会官网、新华网、中国体育报、中国奥林匹克委员会微博、光明网、都市快报、新京报等，具体比赛情况以实际为准。

" width="255" height="120" />亚运看点丨体操女团期待连冠，中国游泳军团能否再掀夺金潮

博氏隱帶麗魚

尖頷副獅子魚

蒲阴县 (东汉)

随着半导体制程向先进节点演进，3D 晶体管架构与多层互连堆叠技术的规模化应用，使得器件缺陷的隐蔽性与检测难度显著提升。传统光学检测技术已难以满足电学相关缺陷的识别需求，而电子束检测的效率瓶颈又制约了量产应用。DirectScan检测通过核心技术创新破解了这一行业痛点，为下一代半导体制造提供了高效、精准的检测解决方案。

本文将从技术原理、核心优势、应用场景及落地实践等方面，对该技术进行系统性解析。

一、先进工艺节点的检测挑战与技术缺口

当前半导体制造技术正经历关键变革：鳍式场效应晶体管逐步被全环绕栅极（GAA）纳米带晶体管替代，中段制程（MOL）因多重图形化技术的应用，堆叠复杂度持续增加。这一变革导致致命缺陷多隐匿于 3D 结构内部，传统光学检测手段难以有效识别。

同时，先进工艺节点的缺陷呈现显著的产品特异性，集中分布于特定工艺 - 版图组合的 “热点区域”，此类缺陷由芯片设计固有的版图特征引发，成为影响良率的核心因素。

行业面临的核心矛盾在于：电子束电压衬度检测是识别电学缺陷的关键技术，但传统电子束检测采用光栅扫描模式，效率远低于光学检测，无法匹配大批量生产的需求。DirectScan 技术的出现，为破解这一矛盾提供了可行路径。

二、DirectScan 核心技术架构：PointScan 的创新逻辑

DirectScan 检测方案由eProbe 电子束检测工具、FIRE GDS 版图分析平台及Exensio 大数据智能分析平台三大核心组件构成，其技术突破的核心在于PointScan 扫描技术对传统电子束检测逻辑的重构，主要体现在以下三方面：

设计感知驱动的靶向检测

传统电子束检测采用无差别光栅扫描，需覆盖包括介质区域在内的全部区域，且无法识别被测目标的图形特征；PointScan 技术具备非接触式电学测试特性，可精准跳转至目标器件的关键位置（如焊盘、接触点），仅对有效检测区域实施电压衬度检测，完全规避介质区域的无效扫描，实现 “按需检测”。

检测效率的量级提升

通过 FIRE 平台的精细化版图分析，可精准筛选出需检测的 “关键区域”，大幅缩减检测范围：

后段制程金属 3 层通孔检测：仅需扫描总可检测面积的 2.5%

中段制程栅极 - 漏极短路检测：仅需扫描总接触点的 1%

栅极残筋检测：可规避 50%-75% 的介质区域，检测面积缩减至传统方案的 10% 以下

基于上述优化，PointScan 技术的检测吞吐量可达传统单束电子束检测设备的 20-100 倍，每小时可完成数十亿个被测器件的扫描。

设计感知学习与属性分析能力

DirectScan 与 FIRE 平台的深度整合，可实现跨多层版图的属性提取，包括触点类型（漏极 / 栅极）、晶体管阈值电压、极性、与扩散区隔离槽的距离等关键参数。

eProbe 输出的 KLARF格式数据含专属属性识别码，可与版图特征精准匹配，工程师可直接计算特定属性或属性组合对应的缺陷率，快速定位高风险晶体管类型与版图设计方案，为工艺优化提供数据支撑。

三、高难度场景的应用突破

PointScan 技术的低电荷沉积特性，使其在传统电子束检测难以覆盖的场景中实现突破：

背侧供电网络（BSPDN）晶圆检测

键合晶圆形成的绝缘层会阻碍电荷传导，导致传统电子束检测出现电荷累积、电子束偏折与失焦问题；PointScan 技术大幅降低单位面积电荷沉积量，有效缓解上述问题，已完成实际应用验证。

3D DRAM检测

3D DRAM 的结构特性同样易引发电荷累积，此前检测难度较高，DirectScan 技术的应用使该类器件的精准检测成为可能。

DRAM 阵列短路检测

独有的可控 “充电 - 检测” 功能，可在指定位置施加电荷后跳转至目标区域采集电压衬度信号，使特定岛状节点呈现高亮状态，清晰识别与浮空相邻触点的短路问题，该功能为传统光栅扫描技术所不具备。

四、行业落地实践与全流程应用

自 2022 年初起，eProbe 检测系统已在多家先进逻辑芯片制造工厂落地，目前两套设备投入大批量生产，第三套设备处于产能爬坡阶段，应用场景覆盖半导体制造全流程：

先进逻辑芯片制造

中段制程：GAA 栅极 - 漏极短路、栅极接触孔开路、栅极外延层 / 硅化物层开路检测

后段制程：M0 层、1X 层、2X 层系统性接触孔开路与金属布线短路检测

背侧供电网络：电源通孔、源极 / 漏极通孔接触孔开路与短路检测

随机逻辑电路漏电情况评估

先进 DRAM 制造（2024-2025 年）

外围电路：栅极 - 栅极残筋短路、栅极 - 漏极短路、字线 - 字线短路与开路检测及缺陷定位

存储阵列：基于可控 “充电 - 检测” 技术的存储节点短路检测

技术总结

在半导体制程向更精密 3D 架构演进的背景下，检测技术的创新成为保障良率的关键。DirectScan 方案通过 PointScan 靶向扫描技术、设计感知分析能力与产品特异性缺陷学习功能的融合，在保留电子束检测高灵敏度的基础上，实现了检测吞吐量的量级提升，同时破解了高难度场景的检测难题。

该技术不仅解决了先进工艺节点下缺陷“难识别、难检测” 的问题，更推动半导体检测从 “缺陷识别” 向 “工艺优化赋能” 升级，为下一代半导体制造提供了核心技术支撑和全新路径。

" width="255" height="120" />DirectScan 技术解析：下一代半导体电子束检测的创新路径与应用